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SEMI-KLEEN Sapphire downstream plasma cleaner

Contamination issue delays the adoption of EUV lithography - 오염문제로 EUV 리소그래피 적용이 지연됨

EUV 리소그래피(EUVL)는 수십년간 차세대 리소그래피 후보로 제안되어 왔습니다.   그러나, EUV 광자 에너지가 거의 100eV이고,
그와 같은 높은 에너지에서 EUV 리소그래피는 전자 빔 시스템과 같은 오염문제를 겪게 됩니다.  다층 미러(MLMs)는 영상 광학,
블랭크 마스크로 사용도어야 합니다.   그러나 1nm의 카본 오염은 단 표면에 1.4%  이상 EUV 반사능을 감소 시킬 수 있습니다.
탄화수소 오염, 다른 오염은 EUV 리소그래피의 도전 과제 가운데 하나였습니다.  

E-Beam lithography suffers from hydrocarbon contamination issue - E-beam 리소프래피는 탄화수소 오염 문제를 갖고 있음

전자 빔 리소그래피 시스템에서, 비록 1차 전자가 정전기 또는 마그네틱 렌즈에 닿지 않는다고 해도, 탄화수소 증착은 2차 전자 또는
후방산란 전자가 닿을 수 있는 어퍼쳐 또는 다른 곳에 여전히 발생할 수 있습니다.   광학 컬럼의 카본 오염은 심각한 차징 문제를
야기하고, 시스템 해상도는 차징 유도 광학 수차(charging induced optical aberrations)로 인해 매일 저하될 것입니다.  차징 문제는
또한 심각한 빔 편향 문제를 낳습니다.   마스크리스 패턴 제너레이터(pattern generator in maskless))의 카본 오염은 대비에 심각한
악영향을 줍니다. 

Contamination in vacuum system can be cleaned by remote plasma - 진공 시스템의 오염은 원격 플라즈마 클리너로 세정됨

존통적인 리소그래피와 달리, 차세대 리소그래피(NGLs)는 진공 하에서 작동할 것입니다.   전통적인 가스-블로우 오염 제어 방식은
더 이상 차세대 리소그래피에 사용되지 않을 것입니다.  진공 하에서 분출되는 가스에 내화학적 폴리머가 탄화수소 오염이 큰 소스가
될 것입니다.  모든 이러한 요소들은 차세대 리소그래피에 있어 오염 제어가 극단의 도전 받도록 할 것입니다.

SEMI-KLEEN 플라즈마 클리너는 반도체 장비에서 사용될 수 있도록 특별히 디자인된 모델입니다.  본 모델의 디자인은 반도체
산업의 청결도를 준수토록 되었습니다.  가스 온송 ㅅ스템과 플라즈마 챔버, 오링 씰 등에 특히 신경을 써서 잠재적 파티클에
대비하였습니다.   저희는 선도적인 연구 실험실과 산업계 등과 함께 차세대 리소그래피 시스템의 신뢰성 있는 오염 제어 소루션에
대한 연구를 수행하고 있습니다.    보다 자세한 사항은 연락주세요 !