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산소 플라즈마를 통한 포토레지스트 에싱/스트리핑(ashing, stripping) : 시료에 있는 모든 포토레지스트 층을 제거하는 공정이다.
Photoresist stripping는 화학적 공정을 통해서도 가능하지만, 독성물질을 생성한다. 산소 플라즈마 포토레지스트 에싱 공정은
radical oxygen을 이용하여 유기 포토레지스트를 산화시킨다. 부산물로는 COx, H2O 가스 등이며 독성이 아니다.
화학적공정은 습식공정으로, 플라즈마 공정은 건식공정으로 불린다. 건식 플라즈마 공정은 훨씬 더 친환경적인 공정이다.
산소 플라즈마 내의 전자들은 산소분자를 분해하여 radical monatomic oxygen을 생성시키며, 유기 포토레지스트에 훨씬 더
반응적이다. ashing 또는 stripping 공정에 대한 플라즈마는 보통 MHz (radiofrequency) ~ GHz (microwave) 플라즈마 시스템에
의해 생성된다. 미량의 CF4 또는 SF6 첨가로 ashing 속도를 획기적으로 높일 수 있다. 또한 시료의 온도에 따라 높일 수 있다.
포토레지스트 에싱에 의해 생긴 부산물은 플라즈마 방사 스텍트럼을 변경시킬 수 있다. 옵티컬 스펙트로미터가 장착된 플라즈마
시스템은 포토레지스트 에싱 공정 진행을 모니터링할 수 있다. 하기 그림참조 (the plasma emission from CO at 483nm and 520nm and the emission from H at 486nm and 657nm during photoresist ashing is very different from pure oxygen plasma emission. Therefore, it’s possible to monitor the plasma emission from these frequencies to determine the progress of the photoresist ashing process).
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