- SEMI-KLEEN sapphire (내화학성 모델) - Remote plasma source for agggresive and corrosive gases

SEMI-KLEEN sapphire remote plasma source has been used to deposit thin films, clean samples surface prior to thin film
   deposition in atomic layer deposition systems, and clean carbon and oxygen contaminations from a metal surface for
   projects carried out in NIST.   Customer results show that SEMI-KLEEN plasma source can clean carbon and oxygen
   contaminants from InGaAs sample with just 2-second hydrogen plasma.   A highly efficient hydrogen plasma source
   requires low-pressure discharge capability.  Otherwise, atomic   hydrogen will recombine and lose its effectiveness.

SEMI-KLEEN sapphire 원격 플라즈마 클리너 모델은 표준 SEMI-KLEEN plasma cleaner 모델의 업그레이된 모델로서 공격적이고 부식성있는 가스 사용을 고려한 제품입니다. 플라즈마 챔버는 보다 내화학성이 높은 사파이어 튜브로 변경하였고,  우수한 진공 씰 디자인과 챔버 재질 선택은 플라즈마 내의 부식성있는 라디알(radials)을 대비할 수 있도록 최적화되었습니다.  수소 플라즈마 에칭 공정에 석영 챔버보다 더 우수합니다.                                     SEMI-KLEEN Sapphire remote plasma source (좌측: 플라즈마 소스,  우측: 150W 컨트롤러)           UHV 챔버용 : SEMI-KLEEN UHV plasma source               SEMI-KLEEN sapphire 원격 플라즈마 소스( remote plasma source)는 박막 증착, 원자층 증착 장비의 샘플 표면 세정, 그리고  미국 국립표준 기술연구소(NIST)에서 수행한 프로젝트(금속 표면으로부터 탄소, 산소 오염원 세정)에 사용되었습니다.  소비자 자료에서 보이듯이 SEMI-KLEEN 플라즈마 소스는 2초 간의 수소 플라즈마 사용으로도 탄소, 산소 오염원을 세정할 수 있다는 것을 보여줍니다.  고효율의 수소 플라즈마 소스는 저압 방전 가능출력을 필요로 합니다.  그렇지 않으면 원자 수소가 재결합되어 효율성을 잃게 됩니다.           XPS analysis of contaminated InGaAs samples before and after 2 second hydrogen plasma cleaning

 

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